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用于LSI的双层布线工艺研究
被引量:
1
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摘要
本文在实验的基础上,叙述了LSI 中的几种双层布线工艺方法,将这几种方法进行了分析比较,并从中得出结论:Si_3N_4—SiO_2方法以及 PI 方法是现行 LSI 中较为适用的双布线技术。
作者
张沈军
机构地区
东北微电子研究所
出处
《微处理机》
1990年第2期40-44,共5页
Microprocessors
关键词
布线技术
LSI
工艺研究
多层布线
连通孔
断条
设计自由度
测试图形
钻蚀
阳极氧化
分类号
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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