用一个P沟和N沟MOS场效应管组成的逆变器级

Inverter Stage with a p/n-Channel MOSFET Combination

现在的汽车上有很多电力驱动装置。从车窗的起落装置到电动助力转向系统,各种不同的动力都是由不同的电机和电子元器件组合来提供和实现的。用来驱动这些应用装置的变换器一般是由几个N沟道场效应管,一个驱动集成电路,一个微处理器,和通信与电源设备组成。典型的应用是驱动电动机的功率开关,只有一个H桥拓扑或是三相桥结构。作为微处理器和功率场效应管的接口,驱动电路将提供给场效应管的栅极必要的电流和电压,以保证它达到安全和预期的开关性能。针对汽车对于安全性方面的较高要求,一些保护功能也被纳入到驱动电路中,比如短路保护和过温保护。本文主要介绍一种新的方法,即用一个P沟道MOS场效应管作为高压端开关,而一个N沟道MOS场效应管作为低压端开关。先介绍其优点,再分析它的缺点。此外,本文还介绍P/N沟道组合的驱动集成电路,此电路现在市场上没有出现。