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高压IGBT驱动技术解决方案——北京落木源电子技术有限公司

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摘要随着功率半导体技术的发展，IGBT的耐压等级已经从1200V、1700V发展到了3300V、4500V乃至6500V，在高电压应用的设备中，比如高压变频器、高压无功补偿、轨道交通等，以往实现高耐压的方法是多个1700V的IGBT串联，但分立模块导致可靠性成倍下降，并且容易出现分压不均、

出处《电力电子》 2011年第5期55-55,共1页 Power Electronics

关键词高压变频器 IGBT 电子技术驱动技术功率半导体技术北京无功补偿轨道交通

分类号 TN773 [电子电信—电路与系统]

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电力电子

2011年第5期

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