新型FDD与TDD LTE芯片

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摘要该系列包括三款新FDD与TDD LTE基带芯片，一款配套RF芯片及两款新LTE平台，均采用40nm工艺制造。

出处《今日电子》 2011年第12期62-63,共2页 Electronic Products

关键词基带芯片 LTE TDD FDD RF芯片工艺制造

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今日电子

2011年第12期

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