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采用芯片级封装的功率MOSFET
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摘要
8VN沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB采用超小的0．8mm×0．8ram芯片级封装，占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36％，而导通电阻则与之相当甚至更低。
出处
《今日电子》
2011年第12期65-66,共2页
Electronic Products
关键词
芯片级封装
功率MOSFET
导通电阻
P沟道
N沟道
面积比
器件
分类号
TN405.94 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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