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BiⅣ离子5d Rydberg态能级的最弱受约束电子势模型理论计算

Calculations of the 5d Rydberg energy levels for BiⅣusing the weakest bound electron potential model theory
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摘要 根据最弱受约束电子势模型的理论,在考虑外能级干扰的情况下,计算了BiⅣ离子的5d^106s^2→5d^96s^2np(n=6~20)和5d^(10)6s^2→5d^96s^2nf(n=5~20)系列中的6个Rydberg态的系列能级,理论计算值与实验值吻合较好,并且预言了一些实验中尚未观测到的能级值. Based on the weakest bound electron potential model(WBEPM) theory, six series energy levels of the Rydberg series 5d106s2→5d96s2np(n=6-20) and 5d106s2→5d96s2nf(n=5-20) of Bi Ⅳ ions are calculated by means of the method, and the foreign level perturbation corrections are taken into account in calculations. The calculated values are in good agreement with the experimental results, and some energies without experimental values are predicted.
出处 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1381-1385,共5页 Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)
基金 陕西省教育厅专项科研基金(08JK343) 西安建筑科技大学基础研究基金(JC0724)
关键词 最弱受约束电子势模型 BiⅣ离子 量子数亏损 RYDBERG态 能级 WBEPM, Bi IV ions, quantum defect, Rydberg states, energy levels
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参考文献5

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