SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应

Substrate Assisted Depletion Effect in SJ-LDMOST

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摘要本文分析了SJ-LDMOST中衬底辅助耗尽效应的产生机理。文中将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出消除衬底辅助耗尽效应的途径。

作者成建兵

机构地区南京邮电大学微电子系

出处《电子产品世界》 2011年第12期30-31,共2页 Electronic Engineering & Product World

基金江苏省自然科学基金资助(BK2011753)

关键词 SJ-LDMOST 功率集成电路衬底辅助耗尽效应击穿电压

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电子产品世界

2011年第12期

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