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被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法
RECOVERY OF PERFORMANCE OF Au-Si SURFACE BARRIER DETECTOR CONTAMINATED
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摘要
金硅面垒半导体探测器是带电粒子能谱测量和α,β放射性强度测量的重要探测元件。这种探测器具有近似理想的伏安特性、噪声低、入射窗薄、线性好、脉冲上升时间短,能量分辨好等优点;另外又能做成各种几何形状如园形、矩形、环形、条带阵列以及探测器耗尽厚度可根据工作需要直接制备出厚为几微米到几毫米的全耗尽探测器;
作者
丁洪林
机构地区
中国原子能科学研究院
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期95-96,共2页
Atomic Energy Science and Technology
关键词
表面势
金硅
面垒
探测器
半导体
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
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原子能科学技术
1990年 第3期
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