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韩将迈入新一代芯片时代

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摘要韩国三星电子近日在京畿道华城举行20nm DRAM闪存量产庆祝仪式，三星电子表示，这标志着采用20nm级工艺的DRAM内存芯片将进入量产阶段，内存芯片纳米竞争已然落幕，从而正式迈入下一代芯片时代。

出处《企业技术开发》 2011年第11期50-50,共1页 Technological Development of Enterprise

关键词内存芯片三星电子 DRAM 子表示闪存

分类号 TP333.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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企业技术开发

2011年第11期

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