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使用化合物半导体和锗的下一代高性能晶体管

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摘要日本东京大学与产业技术综合研究所等单位合作开发成功采用化合物半导体和锗的新一代高性能晶体管。它突破了当前硅晶体管性能提高的极限电子迁移率（电场强度与电子·正孔移动速度比）2倍的壁量，提高到了4．2倍。运用化合物半导体并在锗基片上将电路稳定的集成化技术，开发成功新型晶体管，

出处《金属功能材料》 CAS 2011年第6期73-73,共1页 Metallic Functional Materials

关键词化合物半导体硅晶体管性能产业技术综合研究所电子迁移率锗日本东京大学合作开发

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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金属功能材料

2011年第6期

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