我国新型三氧化二铝表面钝化研究获进展

目前，中科院微电子研究所在新型A1203表面钝化研究上取得突出进展。良好的表面钝化对于提升晶体硅太阳能电池的开路电压十分重要，传统晶体硅电池常用等离子体增强化学气相沉积法沉积SiNx：H薄膜，除了能够降低反射率以外，还对Si电池的表面进行了较好的钝化。然而传统SiNx：H薄膜对晶体硅的表面钝化效果有限，因此对表面钝化技术的探索和研究，一直是国际上的重点研究领域。最近几年，国际上利用A1203对晶体硅进行表面钝化，再结合新的工艺，有效地提升Tp型和n型晶体硅电池的效率，Al2O3钝化技术有望在太阳能电池的生产中得到大规模的应用。