GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析

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摘要为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中"白斑"、"暗斑"的质量问题,从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样,分别进行了光荧光谱(PL)、二次离子质谱(SIMS)等测试。通过对这些测试结果进行综合分析,最终确定了造成产品出现"斑"现象的原因,通过改进工艺,向MOCVD用户提供了满足要求的砷化镓抛光片。

作者王建利孙强李静马农农薄春霞

机构地区中国电子科技集团公司第

出处《天津科技》 2011年第6期17-19,共3页 Tianjin Science & Technology

关键词掺硅砷化镓单面抛光片光荧光谱(PL) 二次离子质谱(SIMS)

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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