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电磁炉用IGBT管结构与检测
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摘要
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
作者
孙建文
出处
《家电检修技术(资料版)》
2012年第1期22-22,共1页
关键词
IGBT
管结构
电磁炉
绝缘栅双极晶体管
大功率器件
检测
MOSFET
大电流密度
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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家电检修技术(资料版)
2012年 第1期
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