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英特尔与镁光以创新巩固NAND闪存技术领导地位

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摘要 12月6日，英特尔公司和镁光科技公司宣布推出全球首次20nm制程128Gb多层单元（MLC）NAND设备，在NAND闪光技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20nm制程64Gb NAND闪存，

出处《微电脑世界》 2012年第1期14-14,共1页 PC World China

关键词 NAND闪存英特尔公司闪存技术创新镁 MLC 光技术制程

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

引文网络
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