长余辉材料发光机理的研究进展与展望被引量：2

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摘要分析近几年来研究人员对长余辉材料发光机理研究的进展状况,结果发现,长余辉材料的发光机制主要与晶体缺陷有关,长余辉材料必须有适当深度的陷阱能态.载流子传输模型、隧穿效应模型以及双光子吸收模型等几种模型,能够比较圆满地解释长余辉材料的发光机理.但上述模型目前也还存在一些无法解释的问题,因此,对长余辉材料的发光机理仍需作进一步深层次的研究.

作者李随源张全顺

机构地区焦作师范高等专科学校物理与电子工程学院

出处《焦作师范高等专科学校学报》 2011年第4期75-78,共4页 Journal of Jiaozuo Teachers College

关键词长余辉材料发光机理陷阱掺杂

分类号 TN104 [电子电信—物理电子学]

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