摘要
Ⅱ-Ⅴ族半导体是由第二副族元素(Zn,Cd)与第五主族元素(N,P,As等)形成的化合物.Ⅱ-Ⅴ半导体纳米晶(亦称量子点)具有禁带窄、Bohr半径大、电子有效质量小、通过改变量子点尺寸,能够实现宽波段发光,较Ⅱ-Ⅵ材料,其具有更多的共价键成分,性质稳定等优点,是应用于太阳能电池、生物标记及LED的理想材料.本文综述了近年来在Ⅱ-Ⅴ半导体纳米晶的研究中取得的进展,侧重介绍量子点的合成、表征、吸收光谱、光致发光谱及荧光寿命测定等领域内的最新成果,并对其发展方向进行了展望.
出处
《中国科学:技术科学》
EI
CSCD
北大核心
2012年第2期123-144,共22页
Scientia Sinica(Technologica)
基金
合肥工业大学"黄山学者"人才专项基金(批准号:407-037008)
合肥工业大学青年创新基金(批准号:2011HGRJ0004)资助项目