摘要
为阐明非均匀分布的TiN粒子对抑制非稳定态下奥氏体晶粒长大的影响，Fe-1．5％Mn-0．12％Ti—Si（〈1．1％）-N（20～130ppm）-C（0．05％和0．15％）合金，在有Mg和无Mg脱氧条件下从1873K以50或5K／min的冷却速度冷却到1473K，然后淬火。检测了奥氏体晶粒大小分布与C、N和Si含量以及Mg脱氧和冷却速度的关系，发现在0．05％C时，均匀分布的TiN粒子抑制了γ晶粒的生长，没有观察到Si含量（0—1．1％）在给定C、N和Ti含量时对γ晶粒大小的影响。在Mg脱氧条件下，TiN＋MgO和TiN粒子数量是无Mg脱氧的2倍多，因此导致相似的γ晶粒大小。γ晶粒大小^-Dλ在0．05％C时随齐纳钉扎力的增加而减小，但在0．15％C时就并不如此。0．05％C50K／min冷速时的^-Dλ值比5K／min时的小，但0．15％C时^-Dλ值与冷却速度的关系是不同的，这可解释为0．05％C时，冷却速度降低，非均匀分布的TiN粒子数减少，但是0．15％C时，只有枝晶区域内的TiN粒子减少。
