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一种射频可编程N分频器的设计 被引量：4

Design of an RF Programmable N Frequency Divider
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摘要 提出了用射频CML技术设计的2/3分频单元。基于2/3分频单元,使用0.35μm SiGeBiCMOS工艺,实现了射频可编程N分频器。验证结果表明,电路可在GHz频率下正常工作,具有相噪低、功耗小等特点。在3GHz射频输入信号频率下,频偏100kHz的输出相位噪声为-143dBc/Hz。电路消耗的总电流仅为4mA(3V单电源电压),功耗仅为12mW。 A divided-by-2/3 frequency divider was designed using RF CML technology.Based on the circuit,an RF programmable N frequency divider was implemented using 0.35 μm SiGe BiCMOS process.Simulation results showed that this circuit,which operated properly at GHz frequency,had an output phase noise of-143 dBc/Hz at 100 kHz kHz offset for 3 GHz RF input signal,and it only consumed a total current of 4 mA（3 V single power supply） and dissipated only 12 mW of power.
作者 袁博鲁
机构地区 重庆西南集成电路设计公司
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期84-86,共3页 Microelectronics
关键词 射频 可编程分频器 电流开关逻辑 SIGE BICMOS Radio frequency Programmable frequency divider CML SiGe BiCMOS
分类号 TN772 [电子电信—电路与系统]
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参考文献8

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共引文献10

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引证文献4

二级引证文献7

微电子学
2012年 第1期

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