摘要
第7届国际化学束外延及相关生长技术会议于1999年7月27~30日在日本筑波市科技会议中心召开,有日、美、英、中等十几个国家的120余名代表参加了会议。研讨的问题包括:当前国际上广泛应用的CBE,MOMBE,GSMBE和MOVPE等生长技术的优缺点;材料制备期间的适时检测方法和新的检测手段;薄膜及界面生长特性、新的器件特性与制备;新的半导体材料和器件研究、新的有机源。
出处
《国际学术动态》
2000年第2期58-59,共2页
International Academic Developments