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中芯与灿芯40LL ARM Cortex—A9成功流片

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摘要灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际及ARM联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARMR CortexTM—A9MPCoreTM双核测试芯片首次成功流片。

出处《中国集成电路》 2012年第3期2-3,共2页 China lntegrated Circuit

关键词 ARM 半导体国际漏电芯片

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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中国集成电路

2012年第3期

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