摘要
本文对含F-P标准具的外腔半导体激光器进行了主动锁模研究。适当选择F-P标准具参数可形成单一的纵模群振荡,并可因此得到完全锁模光脉冲。实验中得到了脉宽为13.5ps、重复频率为925MHz的光脉冲输出。
Complete active mode-locking have been achieved with a F-P etalon in a GaAs/GaAlAs semiconductor laser with external cavity and 13.5ps pulses without substructures at 925MHz repetition frequency have been obtained.
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第11期650-653,共4页
Chinese Journal of Lasers