宁波材料所在氧化物中电阻转变机制研究方面取得进展

在电阻式随机存储器（RRAM）研发的进程中，一个重要的障碍是电阻转变机制不明确，所以很难找到明确的技术方案来实现阻变效应的可控性和稳定性。目前，多数研究者认为是导电丝通断过程控制着电阻态转变，并且认为导电丝是从阴极向阳极生长，导电丝的通断位置在阳极附近。