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MOSFET反向恢复对不同应用的影响

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摘要传统上，FET体二极管反向恢复行为采用双脉冲试验方法来评估。由于这种试验方法旨在得出QIT和IRRM参数，因此，所施加的di／dt相对比较缓慢（100A／us）。在一定程度上，缓慢的dj，dt是因袭陈规，但同时也是因为随着di／dt的提高，寄生电感（Ldi／dt）会妨碍精确测定感兴趣的参数，

作者 Hemal Shah

机构地区国际整流器公司

出处《电子设计技术 EDN CHINA》 2012年第1期46-46,共1页 EDN CHINA

关键词 MOSFET 二极管双脉冲实验国际整流器公司

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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