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脉冲激光沉积温度及氧压对Bi_2Sr_2Co_2O_y热电薄膜晶体结构与电输运性能的影响 被引量:1

The effects of substrate temperature and oxygen pressure on the crystal strcture and transport properties of Bi_2Sr_2Co_2O_y thermoelectric films deposited by pulsed laser deposition
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摘要 利用脉冲激光沉积技术在c-Al_2O_3单晶基片上制备了Bi_2Sr_2CO_2O_y热电薄膜并研究了沉积温度和氧压对薄膜晶体结构及电输运性能的影响.在最佳沉积条件下制备的单相、c轴取向的Bi_2Sr_2Co_2O_y薄膜的室温电阻率ρ和塞贝克系数S分别为2.9 mΩ/cm和110μV/K,其功率因子S~/ρ好于在单晶样品上得到的值.此外,该薄膜在低温下表现出较强的负磁阻效应,在2 K,9 T时达到了40%. We fabricate Bi_2Sr_2Co_2O_y,films on C-Al_2O_3 by pulsed laser deposition and investigate the effects of substrate temperature and oxygen pressure on the crystal stucture and the transport properties of the films.The resulting single phase c-axis C-Al_2O_3 films obtained under the optimal condition have a room temperature resistivity of about 2.9 mΩ/cm and a seebeck coefficient of 110μV/K, leading to a larger power factor than that of the single crystal.In addition,a negative magnetroresistance of 40%at 2 K and 9 T is observed in the films.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期409-413,共5页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金青年科学基金(批准号:A2009000144) 河北省教育厅重点项目(批准号:ZD200909)资助的课题~~
关键词 Bi_2Sr_2Co_2O_y热电薄膜 输运特性 脉冲激光沉积 Bi_2Sr_2Co_2O_y thermoelectric thin films transport properties pulsed laser deposition
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参考文献1

二级参考文献12

  • 1李涵,唐新峰,刘桃香,宋晨,张清杰.Ca和Ce双原子复合填充p型Ca_mCe_nFe_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的合成及热电性能[J].物理学报,2005,54(11):5481-5486. 被引量:10
  • 2蒋俊,许高杰,崔平,陈立东.TeI_4掺杂量对n型Bi_2Te_3基烧结材料热电性能的影响[J].物理学报,2006,55(9):4849-4853. 被引量:10
  • 3Yang L, Wu J S, Zhang L T2004 Chin. Phys. 13 516.
  • 4Hsu K F, Loo S, Guo F, Chen W, Dyck J S, Uher C, Hogan T, Polychroniadis E K, Kanatzidis M G 2004 Scierwe 303 818.
  • 5Bilc D, Mahanti S D, Hsu K F, Pcionek R, Kanatzidis M G 2004 Phys. Rev. Lett. 93 146403.
  • 6Sootsman J, Pcionek R, Kong H J, Uher C, Kanatzidis M G 2006 Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 886 293.
  • 7Hazama H, Mizutani U, Asahi R 2006 Phys. Rev. B 73 115108.
  • 8Cui J L, Qian x, Zhao X B 2003 J. Alloy. Compd. 358 228.
  • 9Androulakis J, Hsu K F, Pcionek R, Kong H, Uher C, Jonathan J, Downey A, Hogan T, Kanatzidis M G 2006 Adv. Mater. 18 1170.
  • 10Orihashi M, Noda Y, Chen L D, Goto T, Hirai T 2000 J. Phys. Chem. Solids 61 919.

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