摘要
研究了反应烧结碳化硅陶瓷在1300℃空气中的高温氧化行为,结果表明:高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态SiO2晶化以及氧化膜起裂,使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律。
The high temperature oxidation kinetics of a reaction bonded silicon carbide oxided in air at 1 300℃ were investigated. It has been found that the oxidation kinetic curve is logarithmic in form indicating the crystallization of amorphous silica and the cracking of oxide scale.
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期32-34,共3页
Rare Metal Materials and Engineering
基金
国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :5 9772 0 13 )
关键词
碳化硅
反应烧结
高温氧化
陶瓷
silicon carbide, reaction bonded, high temperature oxidation
