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10μF硅电容器：硅电容器

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摘要 IPDIA推出10μF的硅电容，具有较好的稳定性和可靠性特点，专为要求苛刻的应用而设计。新的使用专利3D硅技术的10μF电容，其低漏电流可低至12nA。

出处《世界电子元器件》 2012年第3期38-38,共1页 Global Electronics China

关键词电容器硅电容可靠性稳定性硅技术漏电流

分类号 TM53 [电气工程—电器]

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世界电子元器件

2012年第3期

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