期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
富士电机推出低损耗“SuperJ-MOS系列”MOSFET
下载PDF
职称材料
导出
摘要
在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中,可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。富士电机推出的Super J-MOS系列产品,采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构,可大幅度地降低损耗。可通过提高设备的电力变换效率减少耗电,为实现低碳社会作贡献。
机构地区
富士电机株式会社
出处
《低压电器》
2012年第1期72-72,共1页
Low Voltage Apparatus
关键词
富士电机
MOSFET
低损耗
电力变换
功率半导体
Super
IT领域
电阻特性
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
张秀澹.
静电感应晶闸管应用技术的发展[J]
.半导体技术,1994,10(1):46-49.
2
谭雄.
物联网信息感知与交互技术研究[J]
.无线互联科技,2016,13(5):29-30.
被引量:1
3
毕延江.
晶闸管的过电流保护[J]
.经济技术协作信息,2006(2):77-77.
4
陈治明.
碳化硅电力电子器件及其应用的研发新进展[J]
.电力电子,2004,2(4):21-27.
5
吕天文.
2010年度中国电源产业现状分析及2011年度展望[J]
.UPS应用,2011(3):9-11.
6
丁季丹.
现代电力电子技术浅探[J]
.考试周刊,2011(82):212-212.
7
王占山.
电力半导体器件的发展及应用[J]
.山东电子,1995(1):15-17.
8
星光.
智能功率模块[J]
.世界电子元器件,2001(4):34-35.
被引量:1
9
富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件[J]
.电子元件与材料,2012,31(12):45-45.
10
富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件[J]
.中国电子商情,2012(12):52-52.
低压电器
2012年 第1期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部