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高性能氮化镓晶体管研制成功

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摘要据美国物理学家组织网9月22日报道，法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）－硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。此前，氮化镓只能用于（111）－硅上，

出处《现代材料动态》 2012年第4期21-22,共2页 Information of Advanced Materials

关键词性能优异氮化镓晶体管物理学家晶体取向科学家硅

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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现代材料动态

2012年第4期

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