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芯片厂商竞逐MRAM研发
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摘要
随着制造商们积极准备在5年内生产使用磁阻效应的MRAM,这种新型存储器的发展便在不断加速中,主要的电子厂商对MRAM投注了相当的兴趣,而它将有可能取代DRAM,成为主导市场的产品。
作者
施化宇
出处
《微电脑世界》
2000年第15期15-15,共1页
PC World China
关键词
MRAM
存储器
磁阻效应
随机存储器
分类号
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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