期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

典型宇航用DC/DC电路辐射研究 被引量：1

Study of irradiation test on typical DC/DC of space applications
下载PDF
导出
摘要 本文研究了典型D C-D C电源模块的60Coγ射线辐照效应,给出了不同输出负载、不同输入电压等测试条件下,典型D C-D C电源模块输出电压等参数与辐照剂量之间的关系,结合VD M OS器件和PW M的电离辐照效应损伤机理对D C-D C电源模块的失效模式进行了分析。 the paper studied 60Coγirradiation test on typical DC/DC module,gaved the relationship between the output voltage of typical DC/DC module and dose of irradiation under different output load and voltage
作者 陶帅
机构地区 中国航天科技集团公司八院元器件可靠性中心
出处 《数字技术与应用》 2012年第3期77-78,80,共3页 Digital Technology & Application
关键词 DC-DC VDMOS PWM 辐照剂量 DC-DC VDMOS PWM dose of irradiation
分类号 TN792 [电子电信—电路与系统]
  • 相关文献

参考文献3

  • 1"Thick-film hybrid dc-dc converters are standard'bricks' for satellite power systems" By Tiva Bussarakons, RF Design, Jun2006.
  • 2"Military Satellites Pose Engineering challenges in DC-DC Converter Development " Tiva Bussarakons, Defense Electronics, May,2004.
  • 3李泽宏,张磊,谭开洲.总剂量辐照加固的功率VDMOS器件[J].电子科技大学学报,2008,37(4):621-623. 被引量：12

二级参考文献10

  • 1李泽宏,张波,李肇基.非均匀沟道DMOS器件阈值电压模型[J].微电子学,2005,35(1):51-55. 被引量：1
  • 2李泽宏,张波,李肇基.短沟DMOS阈值电压模型[J].电子与信息学报,2005,27(2):322-325. 被引量：2
  • 3BALIGA B J. The future of power semiconductor device technology[J]. IEEE Invited Paper, 2001, 89(6): 64-65.
  • 4SHEPARD D J. Power electronics futures[J].APEC, IEEE, 2004, 1, 31-34.
  • 5SROUR J R., MCGARRITY J M. Radiation effect on microelectronics in space[J]. Proceedings of the IEEE, 1988, 76(11):1453-1458.
  • 6MAP T, DRESSENDORFER V P. Ionizing radiation effectsin MOS devices and circuits[M]. New York: Wiley, 1989.
  • 7ROPER G. B, LOWlS R. Development of a radiation-hard n-channel power MOSFET[J]. IEEE Trans Nuel Sci, 1983, 30(3): 4110-4115.
  • 8FLEETWOOD D M, SHANEYFELT M R, WARREN W L, et al[J]. Border trap: Issues for MOS radiation response and long-term reliability[J]. Microelectron Reliab, 1995, 35(3): 405-409.
  • 9LIU Ying-kun, LIANG Chun-guang, WANG Chang-he et al. A radiation hardened power device--VDMNOSFET[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(07): 841-845.
  • 10李泽宏,李肇基,张波,方健.非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型[J].物理学报,2004,53(2):561-565. 被引量：5

共引文献11

同被引文献6

引证文献1

二级引证文献1

数字技术与应用
2012年 第3期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部