摘要
对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/Vt)和跨导的退化(Δgm/gm)分别为0.23%和2.98%。以器件最大跨导gm退化10%时所对应的时间作为器件寿命,依据幸运电子模型,0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寿命可达16.82年。
Hot carrier reliability of 0.5 μm partially-depletion SOI H-gate NMOSFET was studied.Threshold drift（ΔVt /Vt） and transconductance degradation（Δgm/gm） of SOI NMOSFET with W/L ratio of 4/0.5 were measured to be 0.23% and 2.98%,respectively,after applying voltage stresses of 5 V（Vds） and 2.1 V（Vgs） for 1 000 s.According to lucky-electron model of channel hot-electron injection,lifetime of the device is 16.82 years when transconductance degrades by 10%.
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期293-296,共4页
Microelectronics
