功率MOSFET晶体管的导通电阻显著降低

STMicroelectronics公司(位于美国麻塞诸塞州的Lexington)提出了一种新的制造功率MOSFET晶体管的技术。与传统的功率MOSFET晶体管相比可以将导通电阻降低至原来的三分之一到四分之一。导通电阻可随电压的变化而变化。此项技术称为MultipleDrain Mesh(MDmesh),与该公司的已经获得专利保护的MeshOverlay horizontal layout相结合构成了新颖的漏极构造。 漏极分成许多小区,由许多垂直的p-型漏极条和许多薄的水平的n-型源极条平行排列构成。这样的漏极构成方式可以将击穿电压提高一倍。 该公司还宣称。