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(CdSe)_1/(ZnSe)_1应力半导体材料缺陷能级 被引量:2

Defect Energy Level of(CdSe)_1/(ZnSe)_1 Stress-Layer Semiconductor Material
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摘要 用实空间 Recursion方法计算 (Cd Se) 1 / (Zn Se) 1 应力半导体材料的总态密度、局域态密度、分波态密度 ,研究了局域特性和缺陷能级 ,得出了一些有价值的结论。 The local properties and defect energy level of(CdSe) 1/(ZnSe) 1 stress layer superlattice(SLS) are investigated through a theoretical study using the calculations of the total,local and partial density of states by the real space recursion method.Some valuable conclusions were obtained.
机构地区 沈阳工业大学
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期51-53,46,共4页 Semiconductor Technology
关键词 应力 缺陷能级 超晶格 半导体材料 Stress Density of states(DOS) Defect energy level Superlattice
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Huang H L,Acta Metall Sin,1997年,10卷,1期,10页
  • 2Chung H Y A,Appl Phys Lett,1993年,63卷,10期,1378页

同被引文献17

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