摘要
用实空间 Recursion方法计算 (Cd Se) 1 / (Zn Se) 1 应力半导体材料的总态密度、局域态密度、分波态密度 ,研究了局域特性和缺陷能级 ,得出了一些有价值的结论。
The local properties and defect energy level of(CdSe) 1/(ZnSe) 1 stress layer superlattice(SLS) are investigated through a theoretical study using the calculations of the total,local and partial density of states by the real space recursion method.Some valuable conclusions were obtained.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期51-53,46,共4页
Semiconductor Technology
关键词
应力
缺陷能级
超晶格
半导体材料
Stress Density of states(DOS) Defect energy level Superlattice