科学家首次成功在硅上集成50微米厚锗

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摘要据物理学家组织网3月29日报道,瑞士和意大利科学家在3月30日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破,成功在硅上集成了50微米厚锗,新结构几乎完美无缺,最新研究将让包括x射线技术在内的多个领域受益。

出处《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期26-26,共1页 Electronic Components And Materials

关键词科学家微米集成半导体结构硅《科学》杂志锗 x射线技术

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电子元件与材料

2012年第5期

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