新一代高性能薄膜的触媒化学气相沉积

Cat-CVD方法是在下图（b）所示的装置中进行。原料气在基板附近安置的触媒体发生接触分解,传输至基板区域,在基板上因承受少的热量致使在400℃以下的低温基板上形成高质量薄膜。