专利技术

本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种多晶硅生产方法及其装置。本发明中，包含两条工艺线，工艺线I：SiCl4和H2按一定摩尔配比，生成硅Si和氯化氢HCl；工艺线II：Si—HCl3和H2按一定摩尔配比，生成Si、HCl和SiCl4。由于直接利用副产物SiCl4作为生产原料，降低了多晶硅生产原料成本，同时解决了多晶硅生产副产物SiCl4处理费用高，难度大等问题，进一步有效降低了多晶硅生产厂家的生产成本。