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Ti推出面向高密度开关电源设计的高速单通道栅极驱动器

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摘要 日前,德州仪器(TI)宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的4A/8A与4A/4A单通道低侧栅极驱动哭,其可最大限度减少MOSFET、IGBT电源器件以及诸如氮化镓(GaN)器件等宽带隙半导体的开关损耗。
出处 《电源技术应用》 2012年第5期I0005-I0006,共2页 Power Supply Technologles and Applications
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