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Ti推出面向高密度开关电源设计的高速单通道栅极驱动器
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摘要
日前,德州仪器(TI)宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的4A/8A与4A/4A单通道低侧栅极驱动哭,其可最大限度减少MOSFET、IGBT电源器件以及诸如氮化镓(GaN)器件等宽带隙半导体的开关损耗。
出处
《电源技术应用》
2012年第5期I0005-I0006,共2页
Power Supply Technologles and Applications
关键词
栅极驱动器
开关电源设计
单通道
高密度
TI
MOSFET
宽带隙半导体
电源器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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电源技术应用
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