三星70亿美元存储芯片项目落户西安

韩国三星电子一期投资70亿美元的存储芯片项目近日正式落户西安高新区。该项目将采用世界领先技术进行10纳米级的NAND Flash生产，预计一期投资70亿美元，2013年底达产后，每月可生产10万片。随着三星项目的落户，将有160余家配套企业相继落户西安高新区，将直接或间接增加万余个就业岗位。