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宽长比对CMOS反相器开关时间影响的分析 被引量:2

Analysis of CMOS Inverter's W/L Influencing Switching Time
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摘要 互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器是集成电路的基本单元,其开关时间影响集成电路的传输延迟。文章针对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS)的宽长比对CMOS反相器开关时间tr和tf的影响,分析N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)和P沟道耗尽型场效应晶体管(PMOS)宽长比对开关时间的影响,通过多次模拟分析,得出对称开关时间对宽长比的要求。 CMOS inverter is the most important and basic unit in IC,and its switching time influences the IC's transmission delay.Influencing of the transistor's W/L to tr and tf was analyzed in this paper.By simulation times with changing the W/L of NMOS and PMOS and analyzing the change of time,the requirement of W/L to symmetry switching time was acquired.
作者 董海青
出处 《信息化研究》 2012年第2期52-54,共3页 INFORMATIZATION RESEARCH
关键词 反相器 沟道 宽长比 开关时间 模拟 inverter channel W/L switch time simulation
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