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美科学家研制出新型隧穿场效应晶体管
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摘要
c美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示.他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题.在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。
出处
《科学中国人》
2012年第8期55-55,共1页
Scientific Chinese
关键词
场效应晶体管
量子隧穿效应
科学家
宾夕法尼亚州立大学
最新技术
计算能力
电子设备
芯片
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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利用纳米级氮化硼和金量子点实现量子隧穿效应[J]
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科学中国人
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