期刊文献+

S波段宽带微波固态功率放大器的设计 被引量:2

Design of S-band Wideband Microwave Solid State Power Amplifier
下载PDF
导出
摘要 微波功率放大器是发射机的重要组件,它的设计成了微波发射系统的关键.文中使用ADS仿真软件对一款功率放大器进行电路设计和仿真,根据晶体管的小信号S参数和I-V曲线,对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化设计,使其性能达到设计要求.在2~2.5GHz的频段内,对输入功率为0dBm射频信号,使用功放模块可以输出40dBm的射频信号,带内波动≤±1.5dB. An microwave power amplifier is the key component of transmitters.Its design becomes the most important.The ADS simulation software was used to design and simulate a power amplifier.According to transistor's small signal S parameters and I-V curves,an optimized design is made of the power tube's input and output impedance match circuit and its bias circuit making its performance to achieve the requirements.With the 2~2.5 GHz frequency band,the radio frequency signal with odbm input power can be output 40 dBm by using a power amplifier module,and its fluctuation band is equal to and less than ±1.5 dB.
作者 程光伟 赵文
出处 《西安工业大学学报》 CAS 2012年第3期226-230,共5页 Journal of Xi’an Technological University
关键词 宽带 横向扩散金属氧化物半导体 微波功率放大器 功率回退 wideband laterally diffused metal oxide semiconductor microwave power amplifier power back-off
  • 相关文献

参考文献5

  • 1赵中义.L波段LMMOS微波宽带功率放大器的研制[D].西安:西安电子科技大学,2010.
  • 2GGUILLERM0G.微波晶体管放大器分析与设计[M].白晓东,译.北京:清华大学出版,2003.
  • 3陈玉梅,曾慧敏,范焘.射频宽带功率放大器设计[J].自动化与仪器仪表,2010(6):100-101. 被引量:4
  • 4BENGGTSSON O, VESTLING L, OLSSON J. Investigation of the Non-liear Input Capadtance in LDMOS Transistors and Its Contribution to IMD and Phase Distortion [J]. Solid-State Electronics, 2008(52) : 1024.
  • 5YUAN J S, MA J,YEH W K,et ak Impact of Strain on Hot Electron Reliability of Dual-band Power Amplifierand Integrated LNA- mixer RF Performances [J]. Mieroeleetronies Reliability, 2010(50) : 807.

共引文献3

同被引文献13

引证文献2

二级引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部