IR215×在荧光灯电子镇流器中的应用

目前国内生产的荧光灯电子镇流器绝大多数采用驱动变压器式的半桥拓扑结构来驱动功率MOSFET,两只功率MOS-FET管在驱动变压器的作用下交替导通给灯管提供电流,开关频率由LC共振频率决定。这种电路存在着以下缺点:(1)电路本身不能自启动,通常要在低侧功率MOSFET管栅极加上双向触发二极管才能在电路接通瞬间触发低侧功率MOSFET管;(2)驱动变压器限制了电子镇流器的小型化;(3)驱动变压器的生产成本高。 采用IR215×系列控制集成电路取代传统的变压器驱动方式可克服上述缺点。IR215×系列芯片为高压、高速功率MOSFET或IGBT驱动集成电路,可驱动高侧和低侧MOSFET或IGBT,能够提供高达600V的直流偏置电压。