GaN基宽带隙半导体光发射器件

八十年代末期,随着GaN材料生长和掺杂等关键技术的突破,尤其是1993年12月,在光电子领域名不经传的日本日亚化学工业公司在世界上首次展示了高亮度GaN蓝光LED,引起了轰动。1995年,该公司又以InGaN量子阱结构报道了高亮度蓝-绿光LED。