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Soitec针对平面和三维晶体管的全耗尽技术提出产品发展蓝图
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摘要
Soitec公司应行业向全耗尽(FD)过渡的需求,提供了一种能够以低风险的方式更早过渡到先进节点的方法。日前,Soitec发布了专为开发平面和三维晶体管(FinFET)而设计的全耗尽(FD)硅技术的产品发展蓝图,独特的FD技术能够解决半导体行业当前所面临的挑战:加速开发时间和更低成本、更高性能与更低功耗的需要。
作者
丛秋波
出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2012年第6期76-76,共1页
EDN CHINA
关键词
全耗尽技术FD
三维晶体管FinFET
SOITEC
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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