磁场对不同半导体异质结构负施主中心的影响

The magnetic effect for negative donor in different hetero-structures

讨论了两种半导体异质结构中负施主中心(D)能量随磁场的变化情况,计算中利用变分的方法,分析磁场中的电子结构,得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况,计算此异质结构中负施主角动量L 1三重态的本征能量和束缚能,发现L 1三重态在外加磁场0.053时实现了由非束缚态到束缚态的转变。同时计及电子与界面声子的相互作用,数值计算并对比了界面声子对CdSe(ZnSe)和GaAs(GaP)半导体异质界面上D的束缚能的影响。

A theoretical study of the negative-donor center at the hetero-interface of different kinds of polar crystals in a magnetic field is presented. The binding energy of a spin triplet state of the Dcenter is calculated by a variational approach. The polaron correction to the D- state is discussed. Numerical results are produced for the heterostructure of CdSe（ZnSe） and GaAs（GaP）.