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东芝与海力士半导体合作研发MRAM内存技术

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摘要东芝近日宣布与韩国海力士半导体（Hynix）合作研发磁电阻式随机存取内存（MRAM）技术，今后将在韩国利川的海力士研究设施中集结双方技术人才，积极推动此合作计划。

出处《中国集成电路》 2011年第8期10-10,共1页 China lntegrated Circuit

关键词合作计划内存技术半导体 MRAM 研发东芝随机存取内存技术人才

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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中国集成电路

2011年第8期

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