摘要
从模拟和试验二方面对 N- 区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究 .考虑到工艺条件 ,主要讨论 N-区的掺杂浓度 ( NN- )的变化对器件可靠性的影响 .通过模拟和从实际工作中得到的结果 ,对于 0 .35— 1 .2μm器件 ,我们将 N- 区的掺杂浓度优化为 7× 1 0 17— 1×1 0 18/cm3.利用优化结果进行试验生产 ,并对器件寿命进行测量的结果表明 ,沟道长度 0 .8μm以上的均可以在 5V的电源电压下可靠地工作 1 0年 (工业标准 ) ;0 .4μm的器件 ,可以在 4V的电源电压下达到 1 0年的工作寿命 (热载流子寿命 ) .
The effect of doping concentration on the hot carrier reliability of small\|sized nMOSFETs is presented.Considering the restriction of process situation, only the effect of N\|type doping concentration on the lifetime of nMOSFETs is discussed.Based on simulation, 7×10 17 —1×10 18 /cm 3 was beneficial doping concentration to enhance the reliability of 0 35—1 2μm nMOSFET.The testing results confirm this conclusion.It is shown that nMOSFET with channel length larger than 0 8μm ccould be used for 10 years under 5V,and one with channel length of 0 4μm could reach 10 years of lifetime under 4V.
基金
国家"八五"和"九五"计划资助项目
