摘要
在紧束缚模型框架下采用形式散射理论方法计算了具有闪锌矿结构的化合物半导体 Ga N,Al N和 BN(110 )反常弛豫表面的表面电子结构 ,讨论了表面弛豫对表面电子结构的影响 ,并将结果同 Ga As(110 )表面的表面电子结构作了比较 .
Based on the tight binding scattering theoretical method, the electronic states of abnormal surface relaxation GaN, AlN and BN(110) surface are calculated. The influences of the relaxation on the surface electronic states are discussed and the results are compared with those of GaAs(110).
出处
《郑州大学学报（自然科学版）》
2000年第1期42-47,共6页
Journal of Zhengzhou University (Natural Science)
基金
河南省教委和河南省科委自然科学基金资助的课题
关键词
氮化镓
反常驰豫
表面电子结构
氮化铝
氮化硼
scattering theory
tight binding models
abnormal relaxation
surface electronic states
GaN(110)
AlN(110)
BN(110)
