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一种分段温度补偿BiCMOS带隙基准源 被引量：5

A BiCMOS Bandgap Reference Based on Piecewise Temperature Curvature Compensation
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摘要 设计了一种针对基准电压输出非线性的分段温度补偿电压基准源。该电路在基准源工作的低温和高温阶段对输出进行温度补偿,实现低温度系数。利用高增益的两级运算放大器以及增加PMOS管的栅长来提高电路的电源抑制比(PSRR)。在-55℃～125℃范围内,温度系数为2.9×10-6/℃,低频电源抑制比为-71dB。 A new piecewise curvature compensated voltage reference drcuit was designed to solve the problem of non- linear output of bandgap reference. In this circuit, compensation was made at low and high operating temperatures, respec tively, to achieve low temperature coefficient. A high gain 2-stage operational amplifier and PMOSFET with extended gate were used to improve PSRR. Simulation results showed that the circuit achieved a temperature coefficient of 2. 9 ×106℃ over the temperature range from -55℃ to 125℃, and a PSRR of 71 dB at low frmuencv.
作者 丁大胜 徐世六 王永禄 汤洁 李思颖
机构地区 重庆大学 模拟集成电路重点实验室 重庆邮电大学
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期340-343,共4页 Microelectronics
关键词 带隙基准源 分段曲率补偿 温度系数 电源抑制比 Bandgap reference source Piecewise curvature compensation Temperature coefficient PSRR
分类号 TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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引证文献5

二级引证文献15

微电子学
2012年 第3期

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