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采用高压条带技术的MOSFET

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摘要 ViShaY推出下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件，这些新的400V、500V和600Vn沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3～36A电流，采用多种封装。

出处《今日电子》 2012年第6期68-68,共1页 Electronic Products

关键词功率MOSFET 高压技术条带低导通电阻栅极电荷 N沟道器件

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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今日电子

2012年第6期

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